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岡崎晶圓加熱器

薄膜沉積CVD設(shè)備用加熱系統(tǒng)由上海利布迪公司提供

利布迪公司為半導(dǎo)體行業(yè)的各種晶圓加工應(yīng)用提供糕端加熱解決方案，包括薄膜沉積系統(tǒng)（例如 CVD、PVD、ALD）。我們與國外合作，提供礦物絕緣晶圓加熱器（也稱為基板加熱器或壓板加熱器），適用于關(guān)鍵條件，其規(guī)格可滿足這些工藝的特殊和多樣化需求。玩全定制的基板加熱器通常是良好解決方案，但我們也提供一系列標準盤式加熱器。無論客戶選擇什么，我們的產(chǎn)品和建議都可以依靠，通過確保良好的溫度均勻性來提高整體工藝穩(wěn)定性。

岡崎晶圓加熱器的用途是什么？

晶圓加熱器主要用于薄膜沉積系統(tǒng)，特別是在半導(dǎo)體行業(yè)，但也用于太陽能電池板、納米技術(shù)、薄膜沉積系統(tǒng)以及光刻、退火和光學(xué)器件行業(yè)。在這些真空工藝中，超?。ㄓ袝r只有幾個原子厚）涂層在真空中涂覆在表面上。有多種技術(shù)可供選擇，所有這些技術(shù)都需要不同的基材加熱元件，其特性和設(shè)計都與工作溫度和沉積材料類型相匹配。我們的對夾式加熱器用于以下工藝：

· ALD（原子層沉積）200°C 至 400°C

· CVD（化學(xué)氣相沉積）高于900°C

· PVD（物理氣相沉積）200°C 至 400°C

· PLD（脈沖激光沉積）500°C

· PECVD（等離子體增強化學(xué)氣相沉積）200°C 至 400°C

· 濺射（通過用高能顆粒轟擊基板進行鍍膜）350°C

晶圓加熱器可以直接影響沉積薄膜的性能，包括對附著力和化學(xué)反應(yīng)的影響。它們對于確保加熱均勻性以均勻沉積薄膜至關(guān)重要。

對夾式加熱器的類型

（礦物絕緣）晶圓加熱器的選擇取決于所需的應(yīng)用。由于薄膜沉積工藝的高度專業(yè)化和關(guān)鍵性，我們的加熱解決方案經(jīng)常進行定制，以考慮所有工藝參數(shù)和所需的最終結(jié)果。我們的重點是以下類別的加熱器：

· 一系列標準盤式加熱器

o 直徑從5厘米到16厘米不等

o 提供通用支架，允許客戶將圓盤擰入或焊接到其特定夾具中

· 定制基板/壓板加熱器

o 與客戶共同設(shè)計，在尺寸、形狀、護套材料等因素方面玩全適合應(yīng)用環(huán)境

無論您在利布迪公司選擇哪種加熱器，我們產(chǎn)品的高質(zhì)量和顧問的專業(yè)知識都意味著可以確保熱均勻性，這對薄膜沉積系統(tǒng)至關(guān)重要。

規(guī)格和物理性能

為了確保晶圓加熱器能夠玩美地適應(yīng)每種應(yīng)用，利布迪和/或美國專家將考慮許多變量和規(guī)格：

· 不同類型的基板加熱元件具有各種（可定制的）形狀、尺寸和長度。

· 電氣連接是密封的。密封件的選擇取決于真空度和化學(xué)品/污染物的存在。

· 生產(chǎn)后使用氦氣泄漏檢查確保真空完整性

· 真空法蘭（“O"形圈）可用于連接真空外部的電源和傳感器電纜。在這方面，我們的金屬-陶瓷加熱連接器也是值得考慮的有用配件。

· 熱和冷熱部分可定制。

· 可以提供焊接的外護套，以最大限度地減少危險環(huán)境中的污染。例如，不銹鋼或Inconel 600。

· 可以包括內(nèi)部熱電偶，以精確監(jiān)測產(chǎn)生的熱量。

所有這些可能性意味著我們可以提供耐氧化、惰性、還原和（高）真空環(huán)境的晶圓加熱器。我們的礦物絕緣晶圓加熱器具有非常寬的溫度范圍，使其適用于所有沉積工藝，甚至高達1000°C。 此外，由于采用了護套，對夾加熱器具有出色的機械強度，響應(yīng)速度快。加熱器遵守嚴格的質(zhì)量測試要求。

利布迪的質(zhì)量和服務(wù)

利布迪的晶圓加熱器系列由美國生產(chǎn)。他們在供熱領(lǐng)域擁有數(shù)十年的經(jīng)驗，是我們最長期的合作伙伴之一。利布迪與美國ARi建立了合作伙伴關(guān)系，確保為設(shè)計定制加熱解決方案或調(diào)整電流范圍以滿足特定應(yīng)用的需求提供全面的技術(shù)支持。

事實上，利布迪為嶺先的半導(dǎo)體設(shè)備公司供貨的原因之一是因為我們積極支持開發(fā)新的和定制的加熱產(chǎn)品。具體到基板加熱器，溫度均勻性至關(guān)重要，美國工廠的研究是持續(xù)的，熱均勻性解決方案（例如多區(qū)域或定制基板散熱器）不斷改進。

如果您有需要可以打電話咨詢我們，我們給您提供詳細的產(chǎn)品介紹以及報價，價格受多種因素影響，下單前一定要詢價哦，歡迎您的來電！