在半導體設備的生產(chǎn)過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小，其生產(chǎn)中使用的試劑純度變得越來越重要，這是因為即使是少量雜質(zhì)也會導致設備的失效。SEMI 標準規(guī)定的是金屬雜質(zhì)的大濃度（SEMI 標準C27-07081 用于鹽酸），而半導體設備的生產(chǎn)商對雜質(zhì)濃度的要求往往更加嚴格，這樣就給試劑供應商帶來了更大的挑戰(zhàn)。其結(jié)果是，分析儀器也必須能夠?qū)Ω蜐舛鹊碾s質(zhì)成分檢測。
電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）具備測定納克/ 升（ng/L，PPT）甚至更低濃度元素含量的能力，是測量痕量及超痕量金屬的技術(shù)。然而，常規(guī)的測定條件下，氬、氧、氫離子會與酸基體相結(jié)合，對待測元素產(chǎn)生多原子離子干擾。
珀金埃爾默公司的NexION® 2000 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）可提供多種*消除多原子離子干擾的方式。具有三路氣體通道的通用池在反應模式下具備大的做樣靈活性。由于通用池是由四極桿組成的，具備四極桿的所有功能，包括通過調(diào)整四極桿的“q”參數(shù)控制通用池中的化學反應進行。這一優(yōu)勢使得在池內(nèi)使用高反應性氣體成為可能，這大大提高了干擾去除的能力。在三路氣體通道可用的情況下，三種不同的氣體可以在同一次進樣中自由切換，得以選擇出針對某一特定干擾消除的*反應氣體。在鹽酸分析中，除去氯的干擾是至關(guān)重要的，目前有效的反應氣是100% 高純氨氣和100% 高純氧氣。
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