介紹:測量材料的帶隙對半導(dǎo)體、納米材料以及太陽能等行業(yè)均非常重要。此篇文章描述了如何從某一材料的紫外吸收光譜確定它的帶隙?!皫?指的是價帶跟導(dǎo)帶之間的能量差(圖 1);電子能夠從某一能帶躍遷到另一能帶。對于電子來說要從價帶躍遷到導(dǎo)帶,需要一個一定的最小能量來躍遷,即帶隙能。說明帶隙的圖示如圖 1 所示。在半導(dǎo)體和納米材料行業(yè)測量帶隙是非常重要的。絕緣體的帶隙大(>4eV),導(dǎo)體的帶隙?。ǎ?eV)。某一半導(dǎo)體的帶隙特性可以通過不同的半導(dǎo)體合金得到控制,如GaAlAs,InGaAs 和 InAlAs。參考文獻 1 用列表的形式給出了不同材料以及對應(yīng)的帶隙
另一個選擇方案是在硅基底上鍍上不同材料的多層結(jié)構(gòu)。此方法被廣泛應(yīng)用在制作光伏太陽能電池的太陽能行業(yè)。因為帶隙決定了一光伏電池所吸收的太陽光譜區(qū)域,所以非常重要。到達地球的大部分太陽輻射是由能量值大于硅帶隙的波長組成的。這些高的能量將被太陽能電池吸收,但是由于能量上的差異部分被轉(zhuǎn)換為熱量而不是可用的電能。因而,除非帶隙得到控制,要不然太陽能電池的效率會非常低。使用具有不同帶隙的不同材料的多層結(jié)構(gòu)被證明是一種有效的太陽能電池效率的方法。在半導(dǎo)體和納米材料行業(yè),二氧化鈦 TiO2 作為其中的一種鍍膜材料被使用。TiO2 被認為可通過散射從金屬電極反射回的光促進內(nèi)部對光的捕獲,并且可以改善電子載體在活性層間的傳輸。
實 驗大家早已發(fā)現(xiàn)納米材料研究此類材料時都用很少量的樣品進行的,所以對于此類分析采樣方式就成了一個關(guān)鍵問題。此實驗在一臺 LAMBDA 950 紫外/可見/近紅外分光光度計(帶有一個 150mm 積分球)完成(PerkinElmer,Inc.,Shelton,CT USA)。
積分球前入射窗口敞開以將鏡面反射部分降低到最小。光譜以吸光度-波長和百分反射比-波長模式記錄。用 LAMBDA950 的優(yōu)點是因為其具有第二樣品倉位置可以用來安裝積分球,不會遮擋主樣品倉。
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