產(chǎn)品信息

Pioneer 120 Advanced PLD System 是一個(gè)用于制備高質(zhì)量的外延薄膜獨(dú)立的系統(tǒng)、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)和各種材料的超晶格。這個(gè)PLD系統(tǒng)和the Pioneer 120 PLD System 的主要區(qū)別是襯底加熱階段。先鋒120采用導(dǎo)電加熱階段，而Pioneer 120 Advanced PLD System 采用輻射加熱階段。加熱器可兼容1大氣壓(760托)的氧氣，這是一特性用于制備外延氧化膜，需要(i)沉積在氧氣中，(ii)沉積后退火在氧氣中，以及在接近1大氣壓的氧氣中冷卻。由于基底不與加熱器直接連接，可以連續(xù)旋轉(zhuǎn)360度。襯底也可以負(fù)載鎖定。

這個(gè)脈沖激光沉積系統(tǒng)包括一個(gè)自動(dòng)多目標(biāo)轉(zhuǎn)盤，帶有目標(biāo)旋轉(zhuǎn)、目標(biāo)光柵和軟件控制的多層和超晶格沉積所需的目標(biāo)選擇。閉環(huán)壓力控制提供了使用質(zhì)量流量控制器的過程壓力控制。干式泵是由機(jī)械隔膜泵或渦旋泵支持的渦輪分子泵組合而成。該系統(tǒng)軟件(Windows 7, LabView 2013) 控制基材加熱器、目標(biāo)轉(zhuǎn)盤、過程壓力、系統(tǒng)泵和激光觸發(fā)。由于襯底可以轉(zhuǎn)移，可進(jìn)行多種選擇。這些包括但不限于將PLD系統(tǒng)與各種其他沉積平臺(tái)(如超高真空濺踱系統(tǒng))集成，也與超高真空分析系統(tǒng)(如XPS/ARPES等)集成。

產(chǎn)品特點(diǎn)

獨(dú)立的交鑰匙PLD系統(tǒng)。

外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的沉積。

利用原位RHEED診斷技術(shù)沉積納米級(jí)薄膜。

氧化膜沉積的氧相容性。

升級(jí):負(fù)載鎖定，激光加熱器，RF/DC濺射，組合PLD

與超高真空濺踱系統(tǒng)集成。

與XPS /ARPES超高真空集群工具集成。

技術(shù)指標(biāo)

襯底尺寸：10mm x10mm到直徑2英寸

沉積室：直徑12英寸

襯底溫度：850°C，輻射加熱器，氧兼容

多目標(biāo)傳送帶：6 × 1英寸或3 × 2英寸

質(zhì)量流量控制器(s)：一個(gè)MFC氧氣是標(biāo)準(zhǔn)的，更多的MFC是可選的

軟件控制：Windows 7, Labview 2013

升級(jí)：RHEED, RF-DC濺射/ DC離子源，LAXS, IES，激光加熱器