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目錄:孚光精儀(中國)有限公司>>激光微納加工系統(tǒng)>>紫外曝光機>> FPKLOE-UV-KUB3掩膜對準曝光機

掩膜對準曝光機
  • 掩膜對準曝光機
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 FPKLOE-UV-KUB3
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時間:2024-04-02 09:13:08瀏覽次數(shù):1669評價

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產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,電子
桌面型掩膜對準曝光機是裝備有紫外LED光源的mask aligner,是掩膜對準器中的理想冷光源紫外曝光機。能夠在4英寸工作面積上實現(xiàn)2微米微結(jié)構(gòu),對準精度高達3微米,廣泛用于光刻掩膜對準曝光,適用于微流體芯片,微電子,光學微結(jié)構(gòu),MEMS等微納器件的光刻制作。

桌面型掩膜對準曝光機是裝備有紫外LED光源mask aligner,是掩膜對準器中的理想冷光源紫外曝光機。能夠在4英寸工作面積上實現(xiàn)2微米微結(jié)構(gòu),對準精度高達3微米,廣泛用于光刻掩膜對準曝光,適用于微流體芯片,微電子,光學微結(jié)構(gòu),MEMS等微納器件的光刻制作。
桌面型掩膜對準曝光機參數(shù)
分辨率:2微米
接收掩膜大小:5英寸 (2英寸可選)
接收襯底大?。?-4英寸, 50x50mm 到 100x100mm
系統(tǒng)可視分辨率:3微米 (1.5微米可選)
掩膜/襯底測量距離分辨率:0.5微米
theta襯底位移分辨率:5.10-4度
XYZ襯底位移分辨率:0.4微米(0.2微米可選)
波長:365nm 或 405nm
功率密度:35mW/cm^2
曝光中襯底升溫:<1攝氏度
曝光時間:1秒到18小時
可編程曝光循環(huán):>100個
尺寸:475x475x478mm
重量:55kg
觸摸屏:15.6寸彩色觸摸屏
電力要求:220V
用電功耗:180W




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