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導電型號檢測儀 型號:KDK-STY-3
KDK-STY—3型導電型號檢測儀是嚴格按照標GB/T1550-1997和ASTM F42(非本征半導體村料導電類型的標準測試方法)中的熱探針及整導電類型測試方法的導電類型鑒別儀。
本儀器熱探筆內裝有加熱和控溫組件,自動加熱并使溫度維持在50?60℃范圍內,冷熱探筆在半導體材料上產生的熱電動勢及整法產生的電勢差經低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后,用液晶顯示器件(LCD)及檢計示型號方向。儀器靈敏度分、低兩檔,可判別大分非本征半導體材料型號(從阻單晶到重摻單晶)。
二、性能
1、可判別鍺、硅著料的電阻率范圍:
鍺:非本征鍺103~10?4Ω·cm
硅:10+4~10-4Ω·cm
經內外實驗證明:在室溫情況下,熱電法對于電阻率低于1000Ω·cm的硅單晶整法結果可靠。
2、鍺、硅單晶直徑及長度:不受限制
3、顯示方式:由顯示N和P的液晶器件直接示,同時中心刻度為零位檢計也在示型號,針向左偏轉被測樣品為N型,針向右偏轉被測樣品為P型。
5、探針:用ASTM F42標準中建議的不銹鋼作冷熱探針材料,針尖為60℃錐體,熱筆溫度自動保持在50?60℃范圍內,冷筆與室溫相同。整法行選用硬質合金作探針。
6、電源及耗:AC 220V±10%,50HZ交供電,zui大耗(熱筆加熱狀態(tài))小于40W,平均耗≈10W。
7、外型尺寸:370×320×110(mm)
8、重量:約 4 kg
四探針電阻率儀 型號:KDK-KDY-4
KDK-KDY-4型四探針電阻率儀嚴格按照硅片電阻率測量的際標準(ASTM F84)及家標準制,并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改。整套儀器有如下點:
1、配有雙數字表:塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時,另塊數字表適時監(jiān)測過程中的電變化,使操作更簡便,測量更。
數字電壓表量程:0—199.9mV 靈敏度:100μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
基本誤差±(0.4-0.5%讀數+0.1%滿度)
2、可測電阻率范圍:10—3 —1.9×103Ω·cm。
可測方塊電阻范圍:10—2 —1.9×104Ω/□。
3、設有電壓表自動復零能,當四探針頭1、4探針間未有測量電過時,電壓表零,只有1、4探針接觸到硅片,測量電渡過單晶時,電壓表才示2、3探針間的電壓(即電阻率)值,避免空間雜散電波對測量的干擾。
4、經硅片的測量電由度穩(wěn)定(分之五度)的制恒源提供,不受氣候條件的影響,整機測量度<3%。
電量程分五檔:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、儀器采用觸點電阻更低(<5mΩ)、使用壽命更長的轉換開頭及繼電器(>10次),在緣電阻、電容量方面留有更大的安系數,提了測試儀的可靠性和使用壽命。
6、四探針頭采用際上的紅寶石軸套導向結構,使探針的游移率減小,測量重復性提
四探針電阻率儀
振動壓實試驗機 型號:HYL8-ZYC-2
振動壓實試驗機
本儀器是采用表面振動壓實法測定無粘性自由排水粗粒土和巨粒土(包括堆石料)的zui大干密度的試驗儀器。
1、電源電壓:380V;
2、耗電率:≤looow;
3、振動頻率:47.5Hz;
4、激振力二2.5-4.2KN;
5、夯板作用在試樣表面靜壓力:13、8Kpa;
6、試筒規(guī)格:鋁制大筒個內徑280mm,鋁制小筒個內徑152mm;
振動壓實試驗機
四探針電阻率測定儀 型號:KDK-KDY-1A
四探針電阻率測定儀
概述
便攜式電阻測度儀是用來測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
本儀器按照半導體材料電阻率的際及家標準測試方法有關規(guī)定。
它主要由電器測量份(主機)及四探頭組成,需要時可加配測試架。
為減小體積,本儀器用同塊數字表測量電及阻率。樣品測試電由寬的恒源提供,隨時可行校準,以確保電阻率測量的準確度。因此本儀器不僅可以用來分材料也可以用來作產品檢測。對1~100Ω•cm標準樣片的測量瓿差不過±3%,在此范圍內達到家標準機的水平。
四探針電阻率測定儀
四探針電阻率儀 型號:KDK-KDY-1
四探針電阻率儀是用來測量半導體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率,以及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量份(簡稱:主機)、測試架及四探針頭組成。
本儀器的點是主機配置雙數字表,在測量電阻率的同時,另塊數字表(以分之幾的度)適時監(jiān)測程的電變化,免除了測量電/測量電阻率的轉換,更及時掌控測量電。主機還提供度為0.05%的恒源,使測量電度穩(wěn)定。本機配有恒源開關,在測量某些箔層材料時,可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生,地保護箔膜。儀器配置了本公司的產品:“小游移四探針頭”,探針游移率在0.1~0.2%。保證了儀器測量電阻率的重復性和準確度。本機如加配HQ-710E數據處理器,測量硅片時可自動行厚度、直徑、探針間距的修正,并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習庋。給測量帶來很大方便。
四探針電阻率儀
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