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HAD0-70601-能薄膜性測試儀 薄膜性測試儀
  • HAD0-70601-能薄膜性測試儀 薄膜性測試儀

貨物所在地:北京北京市

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更新時間:2025-02-28 08:43:41

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儀器由四探針測試儀和非晶硅薄膜電導率測量儀兩分組成。具有測量度,靈敏度,穩(wěn)定性好,測量范圍寬,結(jié)構(gòu)緊湊,使用方便等點。儀器適用于半導體材料廠,半導體器件廠,科研單位,等院校對半導體材料的電阻性能的測試。

能薄膜性測試儀型號:HAD0-70601  
儀器由四探針測試儀和非晶硅薄膜電導率測量儀兩分組成。具有測量度,靈敏度,穩(wěn)定性好,測量范圍寬,結(jié)構(gòu)緊湊,使用方便等點。儀器適用于半導體材料廠,半導體器件廠,科研單位,等院校對半導體材料的電阻性能的測試。

四探針測試儀由主機,測試架等分組成??梢詼y量片狀,塊狀,塊狀半導體材料的徑向和軸向電阻率,測量擴散層的薄層電阻(亦稱方塊電阻),能材料暗電導和光電導及溫度的變化的性,還可以對金屬導體的低,中值電阻行測量。測試探頭采用寶石導向軸套和耐磨碳化鎢探針制成,故定位準確,游移率小,壽命長。

非晶硅薄膜電導率測量儀由樣品室,溫控系統(tǒng),真空系統(tǒng),阻測量系統(tǒng)等分組成。

1. 測量范圍:電阻測量范圍:1×106 1×1017Ω;

電阻率:0.001~200Ω cm;

電導率:0.005~1000s/cm;

2. 可測晶片直徑:200mm×200mm;

3. 探針:碳化鎢或速鋼;探針間距:1± 0.01mm;

4. 針間緣電阻: ≥ 1000 MΩ; 機械游移率:≤0.3%;

5. 本底真空度: ≤10Pa,氣壓可控范圍:10~400Pa;

襯底加熱溫度:室溫度~200℃



 
能薄膜性測試儀能薄膜性測試儀HZDH0-70601

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