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TD-DSY-II型單晶壽命測試儀/單晶壽命分析儀
  • TD-DSY-II型單晶壽命測試儀/單晶壽命分析儀

貨物所在地：北京北京市

更新時間：2024-10-17 10:05:02

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TD-DSY-II型單晶壽命測試儀，用于測量硅單晶的非平衡少 數(shù)載流子壽命。 它是檢驗半導(dǎo)體單晶質(zhì)量的關(guān)鍵設(shè)備之一。
TD-DSY-II型單晶壽命測試儀，用于測量硅單晶的非平衡少 數(shù)載流子壽命。 它是檢驗半導(dǎo)體單晶質(zhì)量的關(guān)鍵設(shè)備之一。 本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路 級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降 的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
 主要技術(shù)性能：
* 測試單晶電阻率范圍： >3Ω.cm；
* 可測單晶少子壽命范圍： 20μS-5000μS；
* 配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；余輝<10 μS； 閃光頻率為：20-30次／秒；
* 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz：
* 前置放大器：放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz；
* 儀器測量重復(fù)誤差：<±20％；
* 測量方式：采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式；
* 儀器消耗功率：<25W；

 

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