詳細(xì)介紹
vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器(0.5um-11um)
PEM系列(2-12μm紅外光電磁探測(cè)器、光平直入浸式)
特點(diǎn):室溫下工作;無(wú)需偏置;光譜范圍(2-12µm);D*(10.6 µm)達(dá)到2*107cmHz1/2/W;響應(yīng)時(shí)間≤1ns;無(wú)閃動(dòng)噪聲;從直流到高頻工作;重量輕,耐用可靠;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
描述:PEM系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化使得在波長(zhǎng)為10.6微米可以達(dá)到*的使用狀態(tài)。PEM1使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過(guò)半球透鏡(標(biāo)準(zhǔn))或者半球透鏡(可選)進(jìn)行光浸入。探測(cè)器由(Hg-Cd-Zn-Te)半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)成分選擇和摻雜面處理而獲得,微型永磁鐵提供非常強(qiáng)的磁場(chǎng)。PEM系列的探測(cè)器非常適合10.6微米輻射的外差探測(cè)。無(wú)閃動(dòng)噪音,在整個(gè)2-12 µm光譜范圍內(nèi)可以同時(shí)用于CW和低頻調(diào)制輻射??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┤鐔蝹€(gè)各種規(guī)格的元件、四象限單元、多元件陣列、特定封裝和連接器。vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器(0.5um-11um)
詳細(xì)規(guī)格:
特性(@ 20ºC) | 單位 | PEM-10.6 | PEMI-10.6 |
*特性波長(zhǎng)λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探測(cè)率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥1.5E7 ≥4E6 | ≥8E7 ≥2E7 |
電阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
響應(yīng)時(shí)間τ | ns | ≤1 | ≤1 |
電阻 | Ω | 40-100 | 40-100 |
光學(xué)面積(長(zhǎng)×寬) 或直徑(圓形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場(chǎng), F/# | deg | 60,0.5 38,1.65 |