當(dāng)負(fù)載電流超過該門*，比較器輸出被鎖存到高阻態(tài)。晶體管進(jìn)入截止區(qū)，MOSFET隨之關(guān)斷。故障解除后，可以通過復(fù)位按鍵將電路恢復(fù)到正常工作模式。

　　該電路適用于高電壓(本例采用+28V)應(yīng)用，電壓至少為VCC電壓的兩倍。另外，VCC限制在+5.5V大值，在比較器輸出的限制范圍內(nèi)。電阻R1、R2取值的不同會(huì)引入一定增益，能夠提供更高的MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓，從而降低MOSFET導(dǎo)通電阻的損耗。

　　該電路對(duì)過流故障的響應(yīng)時(shí)間大約為100?s (圖2)，對(duì)于高出門限10%的過流情況，其響應(yīng)特性保持穩(wěn)定(與機(jī)械式熱斷路器不同)。

　 從負(fù)載電流波形可以看出，電流達(dá)到900mA標(biāo)稱門限的110%時(shí)觸發(fā)圖1所示斷路器，響應(yīng)時(shí)間約為100µs。