圖2. MAX4006鏡像測(cè)量超過60動(dòng)態(tài)范圍的電流，但電流限制值大為10mA。

　　對(duì)于電流鏡，MOSFET必須工作在飽和區(qū)?？缃釉诼O和源極上的電壓一般大于1V。與其他技術(shù)中電壓降不大于0.1V相比，1V壓降過大。因此，主電流應(yīng)限制到不大于10mA，如實(shí)例中測(cè)量光電二極管的情況。

　　電流鏡技術(shù)對(duì)于小電流應(yīng)用很適合，但它對(duì)于大電流、低電壓(包括電池供電)應(yīng)用不具有競(jìng)爭(zhēng)力。 對(duì)于DC應(yīng)用(如電池)，簡(jiǎn)單的方法是根據(jù)歐姆定律V = IR監(jiān)視電流。即跨接在檢測(cè)電阻上的電壓與通過的電流是線性比例關(guān)系。基于電阻的電流傳感器一般需要一個(gè)放大器來提供輸出電壓到外部電路。這樣的放大器容易在工廠中調(diào)節(jié)達(dá)到1%或更好的精度(圖3)。此電路稱之為電流檢測(cè)放大器，因?yàn)樗鼫y(cè)量電壓源中的電流，所以，對(duì)負(fù)載地通路無干擾。