由于真空斷路器的*優(yōu)點，使其在中壓領域的應用在歐洲和美國已占到70%，日本已接近*，俄羅斯已占50%以上，我國也已占到80%以上。近20年來，真空斷路器的理論研究水平和制造技術(shù)都有了長足的發(fā)展，真空斷路器已不僅*于中壓，而是朝著高電壓、大容量方向發(fā)展。特別是在人們對環(huán)境保護非常重視、SF6氣體被確認為溫室效應氣體而使其應用受到限制的大環(huán)境下，傾向于發(fā)展真空斷路器來逐步取代SF6斷路器。

　　2真空滅弧室高電壓化的絕緣技術(shù)

　　2.1絕緣技術(shù)需要解決的問題

　　圖1為一個真空滅弧室的結(jié)構(gòu)圖，真空滅弧室需要解決的絕緣性能的部位都標于圖中，包括觸頭間絕緣、導電桿和屏蔽罩間絕緣、沿面絕緣和外部絕緣等[1]。觸頭間絕緣擊穿性能大大影響真空斷路器的開斷電流性能，屏蔽罩和導電桿間絕緣性能在設計真空滅弧室時與外形尺寸關系很大，滅弧室內(nèi)外沿面絕緣會受電場分布是否均勻的影響，因此電場的均勻化設計非常重要。