2.2間隙絕緣的面積效應

　　真空間隙的擊穿電壓隨電極形狀的不同而大不同，這是因為電極形狀造成電場分布及絕緣擊穿開始時有效的電極面積各不相同的緣故。當電極面積增加時，就會因電極表面的微小突起及吸附氣體（氧化物）等誘發(fā)絕緣擊穿的電極表面的弱點數(shù)目增加，因此電極面積增加時，擊穿電壓降低。

　　對于各種間隙，擊穿通常發(fā)生在大于90%大場強的區(qū)域，這個區(qū)域被稱為導致?lián)舸┑挠行娣eSeff，真空間隙的絕緣擊穿電場強度Eb和絕緣擊穿時的Seff存在密切關(guān)系[2]，即面積效應：隨著Seff的增大，Eb降低。為了提高間隙的擊穿電壓，當間隙長度一定時，加大觸頭曲率，Seff增加，有時會產(chǎn)生相反的結(jié)果；而當大電場強度相同時，若選擇Seff較小的觸頭形狀，可使耐壓值提高。

　　真空滅弧室設(shè)計時要考慮電場分布及其有效面積后，再進行絕緣設(shè)計。