CCD與CMOS都是光電開關中的兩個重要類別，兩者都是利用感光二極管進行光電轉換，主要差別在于數(shù)字數(shù)據(jù)傳送的方式不同。CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶負電） 和 P（帶正電）級的半導體，這兩個互補效應所產(chǎn)生的電流經(jīng)過處理后即可得出影像。

由于圖像快速變化，電流緊跟著變化，所以早期光電開關中的CMOS容易出現(xiàn)雜點。CMOS價格便宜，圖像質量也沒有CCD好，主要應用于攝像頭成像。隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在的CMOS影像傳感器將每一圖像轉化成的電荷變換為電壓，然后將其放大，利用3.3V的電源驅動，可見耗電量比CCD要低。CMOS還有個優(yōu)點是可以在傳感器內(nèi)處理好信號，感光度、噪聲控制也得到很好的提高。圖爾克接近開關NI25-Q20-AN6X2-H1141

遠距離接近開關電效應在既無外點成也無外力作用時，電石、水晶燈晶體材料受溫度變化的影響，其晶格的原子排列發(fā)生變化，也能產(chǎn)生發(fā)極化。這是由于當環(huán)境溫度變化時，晶體的熱膨脹和熱振動狀態(tài)發(fā)生變化，在晶面上講產(chǎn)生電荷，表現(xiàn)出自發(fā)極化現(xiàn)象，此現(xiàn)象稱為熱釋電效應。圖爾克接近開關NI25-Q20-AN6X2-H1141

    由于大氣中浮游電荷吸附在材料表面上，熱釋電效應中自發(fā)極化產(chǎn)生的電荷會很快被大氣中浮游電荷中和而消失，故熱釋電探測器不能測直流信號。要保證產(chǎn)生電荷的連續(xù)性，要有周期性變化的熱源。

   利用熱釋電效應做紅外敏感器件，將物體輻射的紅外線做熱源，采用周期性遮光調制，從紅外熱源持續(xù)性獲得交變紅外線輻射，產(chǎn)生熱釋電荷，可完成非接觸式檢測。