CCD與CMOS都是光電開關中的兩個重要類別，兩者都是利用感光二極管進行光電轉(zhuǎn)換，主要差別在于數(shù)字數(shù)據(jù)傳送的方式不同。CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著帶N（帶負電） 和 P（帶正電）級的半導體，這兩個互補效應所產(chǎn)生的電流經(jīng)過處理后即可得出影像。

由于圖像快速變化，電流緊跟著變化，所以早期光電開關中的CMOS容易出現(xiàn)雜點。CMOS價格便宜，圖像質(zhì)量也沒有CCD好，主要應用于攝像頭成像。隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在的CMOS影像傳感器將每一圖像轉(zhuǎn)化成的電荷變換為電壓，然后將其放大，利用3.3V的電源驅(qū)動，可見耗電量比CCD要低。CMOS還有個優(yōu)點是可以在傳感器內(nèi)處理好信號，感光度、噪聲控制也得到很好的提高。

接近開關傳感器標定的基本目標是找出傳感器輸出與輸入之間的函數(shù)關系。因此，在傳感器標定之前，要根據(jù)傳感器的性質(zhì)（如量程、期望達到的精度、

影響性能的因素等），確定標定的范圍、參考的基準、所用儀器、標定方法等。另一個重要方面是對標定數(shù)據(jù)的處理方法，包括所采用的回歸處理曲線、

標定點的數(shù)量以及分布位置、標定點的重復次數(shù)等。圖爾克接近開關NI12U-EG18SK-VP4X

實際的標定實驗往往要進行多次，以考查傳感器在重復性、滯后等方面的性能。因此，得到的標定數(shù)據(jù)在同一標定點上有多個測量值。在利用小二乘法求

圖爾克接近開關NI12U-EG18SK-VP4X

擬合曲線時，將這些測量值同時考慮進去，無疑可提高擬合計算的效果。一般在各表定點測量次數(shù)相同時，常用各點所得測量的平均值計算相應的擬合方