CCD與CMOS都是光電開關(guān)中的兩個(gè)重要類別，兩者都是利用感光二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，主要差別在于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶負(fù)電） 和 P（帶正電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流經(jīng)過處理后即可得出影像。

由于圖像快速變化，電流緊跟著變化，所以早期光電開關(guān)中的CMOS容易出現(xiàn)雜點(diǎn)。CMOS價(jià)格便宜，圖像質(zhì)量也沒有CCD好，主要應(yīng)用于攝像頭成像。隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在的CMOS影像傳感器將每一圖像轉(zhuǎn)化成的電荷變換為電壓，然后將其放大，利用3.3V的電源驅(qū)動(dòng)，可見耗電量比CCD要低。CMOS還有個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以在傳感器內(nèi)處理好信號(hào)，感光度、噪聲控制也得到很好的提高。

接近開關(guān)傳感器的標(biāo)定實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)除了要考慮控制輸入?yún)?shù)的變化外，還需要考慮下面幾點(diǎn)：

1、有一個(gè)與標(biāo)定系統(tǒng)對(duì)應(yīng)的數(shù)學(xué)模型，用來(lái)表達(dá)輸入輸出之間關(guān)系；

2、實(shí)驗(yàn)中對(duì)輸入?yún)?shù)進(jìn)行控制的同時(shí)，盡量屏蔽可能影響標(biāo)定結(jié)果的其他干擾因素；

3、通過對(duì)標(biāo)定數(shù)據(jù)的回歸分析得到數(shù)學(xué)密性的參數(shù)的同時(shí)，還需分析模型的適用性。

隨著各種傳感器標(biāo)準(zhǔn)的不斷完善，傳感器標(biāo)定方法一般都有相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。