CCD與CMOS都是光電開(kāi)關(guān)中的兩個(gè)重要類別，兩者都是利用感光二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，主要差別在于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶負(fù)電） 和 P（帶正電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流經(jīng)過(guò)處理后即可得出影像。

由于圖像快速變化，電流緊跟著變化，所以早期光電開(kāi)關(guān)中的CMOS容易出現(xiàn)雜點(diǎn)。CMOS價(jià)格便宜，圖像質(zhì)量也沒(méi)有CCD好，主要應(yīng)用于攝像頭成像。隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在的CMOS影像傳感器將每一圖像轉(zhuǎn)化成的電荷變換為電壓，然后將其放大，利用3.3V的電源驅(qū)動(dòng)，可見(jiàn)耗電量比CCD要低。CMOS還有個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以在傳感器內(nèi)處理好信號(hào)，感光度、噪聲控制也得到很好的提高。1兩線制接近開(kāi)關(guān) 
兩線制接近開(kāi)關(guān)安裝簡(jiǎn)單，接線方便；應(yīng)用比較廣泛，但卻有殘余電壓和漏電流大的缺點(diǎn)。 
3.2直流三線式 圖爾克接近開(kāi)關(guān)NI12U-EM18M-VN4X-H1141
直流三線式接近開(kāi)關(guān)的輸出型有NPN和PNP兩種，70年代日本產(chǎn)品絕大多數(shù)是NPN輸出，西歐各國(guó)NPN、PNP兩種輸出型都有。PNP輸出接近開(kāi)關(guān)一般應(yīng)用在PLC或計(jì)算機(jī)作為控制指令較多，NPN輸出接近開(kāi)關(guān)用于控制直流繼電器較多，在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)控制電路的特性進(jìn)行選擇其輸出形式。 
4.接近開(kāi)關(guān)的選型和檢測(cè) 圖爾克接近開(kāi)關(guān)NI12U-EM18M-VN4X-H1141
4.1.接近開(kāi)關(guān)的選型 
對(duì)于不同的材質(zhì)的檢測(cè)體和不同的檢測(cè)距離，應(yīng)選用不同類型的接近開(kāi)關(guān)，以使其在系統(tǒng)中具有高的性能價(jià)格比，為此在選型中應(yīng)遵循以下原則： 
4.1.1.當(dāng)檢測(cè)體為金屬材料時(shí)，應(yīng)選用高頻振蕩型接近開(kāi)關(guān)，該類型接近開(kāi)關(guān)對(duì)鐵鎳、A3鋼類檢測(cè)體檢測(cè)靈敏。對(duì)鋁、黃銅和不銹鋼類檢測(cè)體，其檢測(cè)靈敏度就低。