CCD與CMOS都是光電開關(guān)中的兩個(gè)重要類別，兩者都是利用感光二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，主要差別在于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶負(fù)電） 和 P（帶正電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流經(jīng)過(guò)處理后即可得出影像。

由于圖像快速變化，電流緊跟著變化，所以早期光電開關(guān)中的CMOS容易出現(xiàn)雜點(diǎn)。CMOS價(jià)格便宜，圖像質(zhì)量也沒(méi)有CCD好，主要應(yīng)用于攝像頭成像。隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在的CMOS影像傳感器將每一圖像轉(zhuǎn)化成的電荷變換為電壓，然后將其放大，利用3.3V的電源驅(qū)動(dòng)，可見耗電量比CCD要低。CMOS還有個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以在傳感器內(nèi)處理好信號(hào)，圖爾克接近開關(guān)NI12U-G18-ADZ30X2-B3331感光度、噪聲控制也得到很好的提高。

反射式測(cè)速傳感器的原理與透光式一樣，是通過(guò)光電管將感受的光變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)變化，但它是通過(guò)光的反射來(lái)得到脈沖信號(hào)的，通常是將反光材料粘貼于被測(cè)軸的測(cè)量部位上構(gòu)成反射面。常用的反射材料為測(cè)速反射紙帶(膠帶)，也可用鋁箔等反光材料代替，有時(shí)還可以在被測(cè)部位涂以白漆作為反射面。投光器與反射面需適當(dāng)配置，通常兩者之間距離為5-15M。當(dāng)被測(cè)軸旋轉(zhuǎn)時(shí)，光電元件接受脈動(dòng)光照，并輸出相應(yīng)的電信號(hào)送入電子計(jì)數(shù)器，從而測(cè)量出被測(cè)軸的轉(zhuǎn)速。圖爾克接近開關(guān)NI12U-G18-ADZ30X2-B3331

光電式測(cè)速傳感器輸出信號(hào)的波形比較規(guī)整，接近標(biāo)準(zhǔn)方波，幾乎無(wú)干擾信號(hào)產(chǎn)生。但透光式由于震動(dòng)會(huì)使光源壽命降低，因而在具有較強(qiáng)震動(dòng)的外界條件下不宜采用。反射式的測(cè)速傳感器與被測(cè)軸無(wú)任何機(jī)械聯(lián)系，使用起來(lái)較方便。