CCD與CMOS都是光電開關(guān)中的兩個(gè)重要類別，兩者都是利用感光二極管進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，主要差別在于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送的方式不同。CMOS主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶負(fù)電） 和 P（帶正電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流經(jīng)過(guò)處理后即可得出影像。圖爾克接近開關(guān)NI12U-M18-AN4X

由于圖像快速變化，電流緊跟著變化，所以早期光電開關(guān)中的CMOS容易出現(xiàn)雜點(diǎn)。CMOS價(jià)格便宜，圖像質(zhì)量也沒有CCD好，主要應(yīng)用于攝像頭成像。隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在的CMOS影像傳感器將每一圖像轉(zhuǎn)化成的電荷變換為電壓，然后將其放大，利用3.3V的電源驅(qū)動(dòng)，可見耗電量比CCD要低。CMOS還有個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以在傳感器內(nèi)處理好信號(hào)，感光度、噪聲控制也得到很好的提高。當(dāng)水管壓力傳感器力作用于硅晶體時(shí)，晶體中的晶格產(chǎn)生變形，從而使載流子從一個(gè)能量谷向另一個(gè)能量谷散射，然后引起載流子遷移率發(fā)生變化，擾動(dòng)載流子縱向和橫向平均量，從而使硅的電阻率發(fā)生適當(dāng)變化。水管壓力傳感器這種變化隨晶體取向不同而有所差異，因此硅的壓阻效應(yīng)與晶體取向有這直接關(guān)系，硅的壓阻效應(yīng)不同于金屬應(yīng)變計(jì)，前者電阻隨壓力變化效果主要取決于電阻率的變化，后者電阻變化則取決于幾何尺寸上的變化，前者靈敏度比后者大50～100倍。圖爾克接近開關(guān)NI12U-M18-AN4X