AB羅克韋爾PLC1769-SDNK

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功率放大器是數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的重要組成部分。通常情況下，數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的信號經(jīng)ＣＯＦＤＭ方式調(diào)制后輸出中頻模擬信號，通過上變頻送入放大部分。該調(diào)制方式包括ＩＦＦＴ（８Ｍ）和ＩＦＦＴ（２Ｍ）兩種模式，分別由６８１７和１７０５個載波組成。每個載波之間的頻率間隔非常近，所以交調(diào)信號很容易落在頻帶內(nèi)，引起交調(diào)失真。數(shù)字電視的發(fā)射機(jī)較傳統(tǒng)類型，在線性度、穩(wěn)定性等方面有著更高的要求。對發(fā)射機(jī)中的功率放大器要求必須工作在較高的線性狀態(tài)下，增益穩(wěn)定。

發(fā)射系統(tǒng)的放大部分分為激勵和主放大電路。其中激勵部分為寬帶功率放大器，為確保地面數(shù)字電視傳輸?shù)恼７€(wěn)定，需要具有良好的穩(wěn)定性和可靠性，其工作頻段在４７０ＭＨｚ～８６０ＭＨｚ，工作狀態(tài)為ＡＢ類；要求增益大于１０ｄＢ，交調(diào)抑制小于－３５ｄＢ，噪聲功率密度大于１３０ｄＢｃ／Ｈｚ。本文采用的ＬＤＭＯＳＦＥＴ器件，及平衡放大電路結(jié)構(gòu)熏設(shè)計數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的驅(qū)動級功率放大器，經(jīng)過優(yōu)化和調(diào)試，滿足系統(tǒng)要求

１功率放大器設(shè)計

１．１功率放大器的放大芯片選型

本文采用摩托羅拉ＬＤＭＯＳＦＥＴ器件ＭＲＦ３７３作為功放的放大芯片。該芯片在線性、增益和輸出能力上相對于ＢＪＴ器件有較大的提升，使發(fā)射機(jī)的可靠性和可維護(hù)性大大提高。與傳統(tǒng)的分米波雙極型功放管相比，ＬＤＭＯＳＦＥＴ具有以下顯著優(yōu)點：

·可以在高駐波比（ＶＳＷＲ＝１０：１）情況下工作；

·增益高（典型值１３ｄＢ）；

·飽和曲線平滑，有利于模擬和數(shù)字電視射頻信號放大；

·可以承受大的過驅(qū)動功率，特別適用于ＤＶＢ－Ｔ中ＣＯＦＤＭ調(diào)制的多載波信號；

·偏置電路簡單，無需復(fù)雜的帶正溫度補償?shù)挠性吹?u style="text-decoration: underline">阻抗偏置電路。

ＬＤＭＯＳ制造工藝結(jié)合了ＢＰＴ和砷化鎵工藝。與標(biāo)準(zhǔn)ＭＯＳ工藝不同的是，在器件封裝上，ＬＤＭＯＳ沒有采用ＢｅＯ氧化鈹隔離層，而是直接硬接在襯底上，導(dǎo)熱性能得到改善，提高了器件的耐高溫性，大大延長了器件壽命。由于ＬＤＭＯＳ管的負(fù)溫效應(yīng)，其漏電流在受熱時自動均流，而不會象雙極型管的正溫度效應(yīng)在收集極電流局部形成熱點，從而管子不易損壞。所以ＬＤＭＯＳ管大大加強(qiáng)了負(fù)載失配和過激勵的承受能力。同樣由于ＬＤＭＯＳ管的自動均流作用，其輸入－輸出特性曲線在１ｄＢ壓縮點（大信號運用的飽和區(qū)段）下彎較緩，所以動態(tài)范圍變寬，有利于模擬和數(shù)字電視射頻信號放大。ＬＤＭＯＳ在小信號放大時近似線性，幾乎沒有交調(diào)失真，很大程度簡化了校正電路。ＭＯＳ器件的直流柵極電流幾乎為零，偏置電路簡單，無需復(fù)雜的帶正溫度補償?shù)挠性吹妥杩蛊秒娐贰?/p>

本公司涉及產(chǎn)品廣泛擁有:

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