產(chǎn)品概述

高標(biāo)準(zhǔn)回路電阻測(cè)試儀現(xiàn)貨直發(fā)200A回路電阻測(cè)試儀發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)，精心研制的高精度、數(shù)字化開關(guān)檢測(cè)儀器。該儀器采用高頻大功率恒流開關(guān)電源技術(shù)，可測(cè)得微歐姆級(jí)接觸電阻。目前，電力系統(tǒng)中普遍采用常規(guī)的雙臂直流電橋測(cè)量接觸電阻，而這類電橋的測(cè)試電流僅m*，難以發(fā)現(xiàn)回路導(dǎo)體截面積減少的缺陷。在測(cè)量高壓開關(guān)導(dǎo)電回路接觸電阻時(shí)，由于受觸頭之間油膜和氧化層的影響，測(cè)量值偏大若干倍，無(wú)法真實(shí)的反映接觸電阻值。為此，新電力部標(biāo)準(zhǔn)DL/T845.4—2004《電阻測(cè)量裝置通用技術(shù)條件：回路電阻測(cè)試儀》和新版檢定規(guī)程JJG1052-2009《回路電阻測(cè)試儀、直阻儀檢定規(guī)程》作出對(duì)測(cè)量（隔離）開關(guān)、斷路器等接觸電阻的測(cè)量電流不小于直流100A，小電流維持時(shí)間不低于60S的規(guī)定，確保試驗(yàn)結(jié)果準(zhǔn)確。
 產(chǎn)品特點(diǎn)

高標(biāo)準(zhǔn)回路電阻測(cè)試儀現(xiàn)貨直發(fā)覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試

硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽(yáng)能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，

EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，

抗靜電材料， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等，

產(chǎn)品參數(shù)

硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）.

GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》.

GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā?

GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā?