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西門(mén)子SMARTS7-200模塊EM DR32 西門(mén)子SMARTS7-200模塊EM DR32

潯之漫智控技術(shù)（上海）有限公司上海詩(shī)慕自動(dòng)化設(shè)備有限公司
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上海潯之漫控制系統(tǒng)有限公司供應(yīng)SIMATIC S7-200 SMART數(shù)字量輸出模塊EM DR08 和EM DT08。S7-200 SMART家族提供各種各樣的模塊以擴(kuò)展CPU的性能。通過(guò)擴(kuò)展模塊，您可以很容易的擴(kuò)展控制器的本地I/O，以滿足您的應(yīng)用需求。我們分別提供了數(shù)字/模擬模塊以提供額外的數(shù)字/模擬 I/O通道。下面為沈陽(yáng)新華提供的SIMATIC S7-200 SMART數(shù)字量輸入模塊EM DI08。

SIMATIC S7-200 SMART數(shù)字量輸出模塊EM DR08技術(shù)規(guī)范：

型號(hào)	EM DR08	EM DT08
訂貨號(hào)（MLFB)	6ES7 288-2DR08-0AA0	6ES7 288-2DT08-0AA0
常規(guī)
尺寸W x H x D（mm）	45 x 100 x 81
重量	166.3 g	147 g
功耗	4.5 W	1.5 W
電流消耗（SM 總線）	120 mA
電流消耗（24 V DC）	所用的每個(gè)繼電器線圈11 mA	－
數(shù)字輸出
輸入電數(shù)	8
類型	繼電器，干觸點(diǎn)	固態(tài)-MOSFET
電壓范圍	5 ~ 30 V DC 或5 ~ 250 V AC	20.4 ~ 28.8 V DC
最大電流時(shí)的邏輯1 信號(hào)	－	20 V
具有10 KΩ 負(fù)載時(shí)的邏輯0 信號(hào)	－	0.1 V
每點(diǎn)的額定電流（最大）	2.0 A	0.75 A
燈負(fù)載	30 W DC/200 W AC	5W
通態(tài)觸點(diǎn)電阻	新設(shè)備最大為0.2 Ω	0.6 Ω
每點(diǎn)的漏電流	－	10 μA
浪涌電流	觸點(diǎn)閉合時(shí)為7 A	8 A，持續(xù)100 ms
過(guò)載保護(hù)	否
隔離（現(xiàn)場(chǎng)側(cè)與邏輯側(cè)）	1500 V AC，持續(xù)1 min（線圈與觸點(diǎn)）	500 V AC，持續(xù)1 min
	無(wú)（線圈與邏輯側(cè)）
隔離電阻	新設(shè)備最小100 MΩ	－
斷開(kāi)觸點(diǎn)間的絕緣	750 V AC，持續(xù)1 min	－
隔離組	2	2
每個(gè)公共端的電流（最大）	8A	3A
電感鉗位電壓	－	- 48 V DC
開(kāi)關(guān)延遲	最長(zhǎng)10 ms	斷開(kāi)到接通最長(zhǎng)為50 μs
		接通到斷開(kāi)最長(zhǎng)為200 μs
機(jī)械壽命（無(wú)負(fù)載）	10,000,000 個(gè)斷開(kāi)/閉合周期	－
額定負(fù)載下的觸點(diǎn)壽命	100,000 斷開(kāi)/閉合周期	－
STOP 模式下的輸出狀態(tài)	上一個(gè)值或替換值（默認(rèn)值為0）
同時(shí)接通的輸出數(shù)	8
電纜長(zhǎng)度	500m（屏蔽），150m（非屏蔽）