二維納米Cs3Cu2I5晶體、二維晶體Nb2CTx納米

產(chǎn)品名稱：二維納米Cs3Cu2I5晶體

純度：99.9%

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

以銫源與銅源為混合源，通過氣相沉積制備二維納米Cs3Cu2I5晶體材料。采用CsI，CuI經(jīng)配比為前驅(qū)體，節(jié)能環(huán)保且無毒害性；合成大尺寸二維超薄Cs3Cu2I5納米結(jié)構(gòu)，為集成電路的大規(guī)模應(yīng)用提供了材料基礎(chǔ)。容易轉(zhuǎn)移到其他襯底上進(jìn)行后續(xù)器件加工制作。

二維納米Cs3Cu2I5晶體材料的制備，產(chǎn)物表面平整，形貌均一，元素分布均勻。該制備方法原料豐富，價格低廉，制備方法簡單，便于推廣以及大規(guī)模生產(chǎn)，是一種具有應(yīng)用潛力的，適用微納光電子器件新材料的制備。

產(chǎn)品名稱：二維晶體Nb2CTx納米

純度：99.9%

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

二維晶體Nb2CTx納米材料包括將每1g過篩后的三元層狀Nb2AlC陶瓷粉體加入5~25ml鹽酸與0.2~2g氟化鋰的混合溶液中；加入磁轉(zhuǎn)子并在油浴中加熱攪拌一段時間；用去離子水洗滌并離心，重復(fù)多次至PH值大于5；利用超聲波清洗機超聲分層后離心，取上層懸濁液抽濾，得到所述的單層二維晶體Nb2CTx納米材料，取底層固體干燥，得到所述的多層二維晶體Nb2CTx納米材料。

利用氫氟酸和鹽酸對MAX相進(jìn)行刻蝕處理制備方法簡單，反應(yīng)過程更為溫和，環(huán)境友好，制備的MXene納米材料具有明顯的類石墨烯的二維層狀結(jié)構(gòu)，有望應(yīng)用于超級電容器，鋰離子電池，吸附等領(lǐng)域。

【定制產(chǎn)品：】

LiTaO3晶體

KH2PO4晶體

NH4H2PO4晶體

AgGaS2半導(dǎo)體晶體

ZnGeP2半導(dǎo)體晶體

KDP(KH2PO4)晶體

KTP(KTiOPO4)

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.15.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。