二維納米Ga2In4S9晶體，鎵銦化硫晶體

Ga2In4S9是一種多元化合物，由鎵（Ga）、銦（In）和硫（S）元素組成。它的晶體結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)出二維形態(tài)，這種結(jié)構(gòu)特征使得它具有一些物理、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。

二維納米Ga2In4S9晶體的特性和應(yīng)用潛力在研究中逐漸受到關(guān)注。雖然關(guān)于這種材料的詳細(xì)特性和應(yīng)用尚處于探索階段，但其中一些潛在的特性可能包括：

光學(xué)性質(zhì)：Ga2In4S9晶體可能因其二維結(jié)構(gòu)而顯示出光學(xué)性質(zhì)。對(duì)于這種材料的光學(xué)特性，尤其是在可見光譜范圍內(nèi)的吸收和發(fā)射行為，可能具有一些特點(diǎn)，例如特定波長下的發(fā)光性質(zhì)。

電學(xué)性質(zhì)：作為一種多元化合物，Ga2In4S9可能表現(xiàn)出一定的半導(dǎo)體特性，具有在電子器件和光電子器件中應(yīng)用的潛力。其電學(xué)性質(zhì)可能使其適用于太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域。

應(yīng)用潛力：這種二維納米晶體可能在光電子學(xué)、納米電子學(xué)和光催化等領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。然而，對(duì)于其實(shí)際應(yīng)用的研究和探索仍處于初步階段。

中文名稱：二維納米Ga2In4S9晶體，鎵銦化硫晶體

英文名稱：Ga2In4S9晶體

純度：99.9%

存儲(chǔ)：-20℃冷藏、密封、避光

保存時(shí)間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

【定制產(chǎn)品：】

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.16.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途