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鎵鈦共摻雜氧化鋅半導(dǎo)體薄膜(GZO:Ti)
【詳細(xì)信息】
鎵鈦共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)薄膜是一種半導(dǎo)體材料,通常應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光電子器件、薄膜晶體管等領(lǐng)域。
制備方法: GZO:Ti薄膜的制備方法可以采用物理氣相沉積(PVD)、濺射沉積、溶液法等。選擇適當(dāng)?shù)闹苽浞椒赡苋Q于應(yīng)用需求和薄膜性質(zhì)的要求。
摻雜濃度: 調(diào)節(jié)鎵和鈦的摻雜濃度可以影響GZO:Ti薄膜的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。優(yōu)化摻雜濃度是提高薄膜性能的關(guān)鍵。
透明性: GZO:Ti薄膜通常被設(shè)計(jì)為透明導(dǎo)電膜,因此了解薄膜在可見光和近紅外光譜范圍內(nèi)的透明性是非常重要的。
電學(xué)性質(zhì): 研究GZO:Ti薄膜的電學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、載流子濃度等,對(duì)于透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用是關(guān)鍵的。
光學(xué)性質(zhì): 了解GZO:Ti薄膜的光學(xué)性質(zhì),包括吸收譜、透射譜、折射率等,對(duì)于光電子器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化是重要的。
【基本信息】
中文名稱:鎵鈦共摻雜氧化鋅半導(dǎo)體薄膜
英文名稱:GZO:Ti
純度:99%
保存時(shí)間:1年
包裝:瓶裝/袋裝
儲(chǔ)藏條件:-20°C 下避光保存
用途:僅用于科研,不能用于人體
【定制產(chǎn)品】
Al2(WO4)3薄膜
TiO2-CeO2薄膜
HfSiON高k柵介質(zhì)薄膜
(Ba0.7Sr0.3)TiO3鐵電薄膜(BST)
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3鐵電薄膜(PZT)
SnS薄膜
Yb2O3薄膜
以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.2.26.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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