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定制一維GaN納米光電材料
詳情描述:
一維GaN納米光電材料是指一種具有一維結(jié)構(gòu)的氮化鎵納米材料,它在光電領(lǐng)域具有應(yīng)用前景。由于其物理和化學(xué)性質(zhì),一維GaN納米光電材料在太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器、發(fā)光二極管等領(lǐng)域展現(xiàn)出了應(yīng)用效果。
一維GaN納米光電材料的制備方法主要有模板法、化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法等。
模板法是常用的一種制備方法,通過(guò)使用孔洞陣列模板,可以制備出具有一維結(jié)構(gòu)的一維GaN納米光電材料?;瘜W(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積法則可以在較高的溫度和壓力下制備出高質(zhì)量的一維GaN納米光電材料。
一維GaN納米光電材料具有較大的比表面積,有利于提高光電轉(zhuǎn)換效率。一維GaN納米光電材料的帶隙寬度較大,可以吸收太陽(yáng)光中的藍(lán)紫光和紫外光。
中文名稱:一維GaN納米光電材料
純度:99.9%
存儲(chǔ):-20℃冷藏、密封、避光
保存時(shí)間:1年
用途:僅用于科研,不能用于人體
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以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2024.3.15.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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