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碳化硅晶體,SiC?,六方晶系

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更新時(shí)間:2024-01-11 16:23:29瀏覽次數(shù):473次

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碳化硅晶體,SiC?,六方晶系
碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

碳化硅晶體,SiC,六方晶系

中文名稱:碳化硅晶體

化學(xué)式:SiC

分子量:40.096

CAS號(hào):409-21-2

密度:3.21g/cm3

外觀:黃色至綠色,至藍(lán)色至黑色晶體,取決于其純度

水溶性:不溶

應(yīng)用:用于磨料、耐磨劑、磨具、高級(jí)耐火材料,精細(xì)陶瓷

生長(zhǎng)方法:MOCVD

晶體結(jié)構(gòu):六方

晶格常數(shù):a=3.07c=15.117

方向生長(zhǎng):生長(zhǎng)軸或偏

帶隙:3.02eV(間接)

硬度:9.2(mohs)

密度:3.21g/cm3

熱傳導(dǎo)@300K:3-5*10W/m

介電常數(shù):e(11)=e(22)=9.66e(33)=10.33

厚度:0.35mm和0.5mm

拋光:?jiǎn)蚊婊螂p面

晶向:±0.5°或偏4°

晶面定向精度:±0.5°

邊緣定向精度:2°(特殊要求可達(dá)1以內(nèi))

斜切晶片:可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1-45°)的晶片5A

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碳化硅晶體,SiC,六方晶系

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅是一種半導(dǎo)體,在自然界中以罕見(jiàn)的礦物莫桑石的形式存在?,F(xiàn)在已被大規(guī)模生產(chǎn)為粉末和晶體,用作磨料等。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅是應(yīng)用廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體。

SiC是一種的二元化合物半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)的基本單元為一個(gè)四重對(duì)稱性的四面體,即SiC4或CSi4,相鄰的兩個(gè)Si原子或兩個(gè)C原子之間的距離是3.08?,而相鄰的C原子和Si原子之間的距離僅約1.89?。在SiC晶體中,Si和C原子通過(guò)在sp3雜化軌道上共享電子對(duì)形成非常強(qiáng)的四面體共價(jià)鍵(鍵能為4.6eV)。

純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。α-SiC是常見(jiàn)的晶型,β-SiC屬立方晶系,又名立方碳化硅。直到現(xiàn)在,β-SiC的商業(yè)用途相對(duì)較少,盡管由于其比α-SiC具有更高的表面積,可以將其用作多相催化劑的載體。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)晶。

【定制產(chǎn)品:】

CsLiB6O10(CLBO)晶體

KBe2BOF2(KBBF)晶體

Sr2Be2BO7(SBBO)晶體

KHPO4(KDP)晶體

磷酸欽氧鉀(KTiOPO4)晶體(KTP

Ba3(PO4)2晶體

Ba3P3O10Br晶體

RbBa2(PO3)5晶體

以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2024.1.11.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。

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