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所 在 地西安市
更新時(shí)間:2024-01-30 17:18:49瀏覽次數(shù):143次
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CVD二維薄膜、硒化鉍薄膜(Bi2Se3)
【基本信息】
中文名稱:硒化鉍薄膜
英文名稱:Bi2Se3
純度:99.9%
存儲(chǔ):-20℃冷藏、密封、避光
保存時(shí)間:1年
用途:僅用于科研,不能用于人體
CVD二維薄膜、硒化鉍薄膜(Bi2Se3)
【詳情描述】
硒化鉍(Bi2Se3):
性質(zhì):硒化鉍是一種三維拓?fù)浣^緣體,具有電學(xué)性質(zhì)。它在薄層形式下也可以表現(xiàn)出二維電學(xué)特性。
應(yīng)用: Bi2Se3在拓?fù)浣^緣體、量子霍爾效應(yīng)和熱電材料等領(lǐng)域顯示出重要潛力。
CVD二維薄膜:
CVD(化學(xué)氣相沉積): CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。在納米科技中,CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜。
應(yīng)用: CVD生長(zhǎng)的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質(zhì)量,適用于納米電子學(xué)、光電子學(xué)、傳感器等應(yīng)用領(lǐng)域。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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