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深圳市矢量科學儀器有限公司

  • 12英寸特種金屬膜層刻蝕設(shè)備

    LMEC-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊...
    型號： LMEC-300 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:45:53 對比

  • 12英寸離子束塑形（IBS) 設(shè)備

    Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)...
    型號： Pangea... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:43:05 對比

  • RIE等離子刻蝕系統(tǒng)

    RIE-200NL是一種負載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，它提高了工藝的可重復(fù)性，并允許腐蝕性氣體化學。優(yōu)化的工藝室設(shè)計可在ø8 “晶圓或ø22...
    型號： RIE-200NL 所在地：國外 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:41:42 對比

  • 8英寸離子束塑形（IBS）設(shè)備

    Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間，起輝不...
    型號： Lorem... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:39:49 對比

  • 12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備

    Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（met...
    型號： Herent... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:34:09 對比

  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    PlasmaPro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的...
    型號： PlasmaPro... 所在地：英國 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:29:58 對比

  • 12英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品， 同時也...
    型號： Herent... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:29:23 對比

  • 8英寸硅刻蝕設(shè)備

    Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch cham...
    型號： Tebaank&#... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:20:32 對比

  • 8英寸金屬刻蝕設(shè)備

    Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕均...
    型號： Kessel... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:13:45 對比

  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實...
    型號： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 16:02:42 對比

  • 8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備

    Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。...
    型號： Pishow... 所在地：徐州市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:58:56 對比

  • 深硅刻蝕機

    深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成。可實...
    型號： HSE系列 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/4 15:25:22 對比

  • 反應(yīng)離子刻蝕機

    CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機，采用RIE反應(yīng)離子誘導激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻...
    型號： RIE200/Pl... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/9/2 17:08:20 對比

  • 等離子體（ICP） 刻蝕設(shè)備

    RIE-230iPC是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的盒式ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子...
    型號： RIE-230iP... 所在地：國外 參考價： 面議 更新時間：2024/8/27 10:19:08 對比

  • 緊透尺寸檢測系統(tǒng)

    可靠、快速和可重復(fù)的手動和自動檢測基于VoidInspect的自動氣泡計算易于使用的動態(tài)增強過濾功能，例如eHDR使用micro3Dslice和FF CT軟件的...
    型號： Cougar EV... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/8/12 10:47:29 對比

  • Lancer離子束蝕刻系統(tǒng)

    新型 Lancer™ 離子束蝕刻 （IBE） 系統(tǒng)專為開發(fā)和生產(chǎn)智能手機、自動駕駛汽車和其他可實現(xiàn)連接性、功能性和移動性的“物聯(lián)網(wǎng)"設(shè)備中的下一代電...
    型號： 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/8/12 10:20:00 對比

  • 原子層刻蝕

    ALE是一種先進的刻蝕技術(shù)，可以針對較淺的微結(jié)構(gòu)進行出色的深度控制。 隨著器件微結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，要達到器件的更高性能可以通過ALE技術(shù)所具有的精度來實現(xiàn)。在如...
    型號： PlasmaPro... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/8/12 10:19:40 對比

  • 等離子體蝕刻系統(tǒng)

    SI 500 C 代表了專為低溫蝕刻而設(shè)計的電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿。SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代...
    型號： SI 500 C 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/8/12 10:19:16 對比

  • 等離子蝕刻系統(tǒng)

    SENTECH SI 500 ICP-RIE等離子體蝕刻系統(tǒng)使用具有低離子能量的電感耦合等離子體 （ICP） 源，可實現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。
    型號： SENTECH S... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/8/12 10:18:54 對比

  • 開蓋等離子蝕刻系統(tǒng)

    等離子蝕刻系統(tǒng) Etchlab 200 具有經(jīng)濟高效的 RIE 直接加載的優(yōu)點。SENTECH Etchlab 200 RIE等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載...
    型號： Etchlab 2... 所在地：深圳市 參考價： 面議 更新時間：2024/8/12 10:18:30 對比
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