電力半導體元器件大多是以開關(guān)方式工作為主、對電能進行控制和轉(zhuǎn)換的電力電子器件。如可關(guān)斷晶閘管（英文縮寫：GTO）、電力晶體管（GTR）、功率場效應(yīng)晶體管（Power Mosfet）、絕緣棚式雙極型晶體管（IGBT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）、MOS晶閘管（MCT）等。

電力半導體元器件可分為三類：雙極型、單極型、混合型。

雙極型器件是指器件內(nèi)部的電子和空穴兩種載流子都參與導電過程的半導體器件。這類器件的導通電阻小于0.09Ω，導通電壓降低，阻斷電壓高，電流容量大。常見的有GTO（可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）等。GTO耐壓高（4500V）、電流大（5000A）。GTR具有控制方便、開關(guān)時間短、導通電壓低、高頻特性好等優(yōu)點。SITH用棚極控制開通和關(guān)斷，具有導通電阻小、導通電壓低、開關(guān)速度快、功耗小、關(guān)斷電流增益大等特點。

單極型器件是指內(nèi)部只有主要載流子參與導電過程的半導體器件。常見產(chǎn)品有Power Mosfet（場效應(yīng)晶體管）、SIT（靜電感應(yīng)晶體管）。前者為電壓控制器件，具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。后者是三層結(jié)構(gòu)的多數(shù)載流子器件。具有輸出功率大，失真小、輸入阻抗高、開關(guān)特性好等優(yōu)點，可工作于放大和開關(guān)兩種狀態(tài)。