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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31，GFET-S31

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品       牌其他品牌

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所  在  地西安市

更新時(shí)間：2023-12-06 11:48:57瀏覽次數(shù)：150次

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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31，GFET-S31
GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀，利用高K金屬柵極 （HKMG）工藝流程提供EOT = 20nm的頂柵極。

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31，GFET-S31

中文名稱：石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31（GFET-S31）

英文名稱：Graphene Field-Effect Transistor chip S31

cas號：7440-44-0

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：525μm

每個(gè)芯片的GFET數(shù)量：30

柵氧化層厚度（EOT）：20nm

柵極氧化物材料：Al2O3

Dirac點(diǎn)：＜5 V

良率 ：＞75%

石墨烯場效應(yīng)遷移率：＞600cm2/V.S

應(yīng)用：石墨烯器件研究，化學(xué)傳感器，生物傳感器，生物電子學(xué)，磁傳感器，光電探測器。

保存條件：常溫干燥避光，密封保存

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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31，GFET-S31

GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀，利用高K金屬柵極 （HKMG）工藝流程提供EOT = 20nm的頂柵極。允許單獨(dú)控制芯片內(nèi)每個(gè)石墨烯通道的電導(dǎo)。有3種石墨烯通道尺寸，可以研究尺寸對器件屬性的依賴性，從而實(shí)現(xiàn)即時(shí)優(yōu)化。


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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。


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