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HgPSe3晶體，拓?fù)浣^緣體

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更新時(shí)間：2023-12-15 09:55:00瀏覽次數(shù)：143次

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HgPSe3晶體，拓?fù)浣^緣體
HgPSe3代表的是由汞（Mercury，Hg）、磷（Phosphorus，P）和硒（Selenium，Se）元素組成的化合物。這種化合物可能具有層狀的結(jié)構(gòu)，類似于其他硒化物和層狀材料。

HgPSe3晶體，拓?fù)浣^緣體

材料名稱：HgPSe3晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體，紅外材料

禁帶寬度：1.209 eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：中

 image.png

HgPSe3晶體，拓?fù)浣^緣體

HgPSe3代表的是由汞（Mercury，Hg）、磷（Phosphorus，P）和硒（Selenium，Se）元素組成的化合物。這種化合物可能具有層狀的結(jié)構(gòu)，類似于其他硒化物和層狀材料。

HgPSe3可能是一種二維材料，可能表現(xiàn)出電學(xué)、光學(xué)或磁學(xué)性質(zhì)。層狀材料在納米科技、電子學(xué)和光電子學(xué)領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用，因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)和性質(zhì)使其在這些領(lǐng)域中備受關(guān)注。

然而，關(guān)于HgPSe3的具體性質(zhì)和潛在應(yīng)用，其晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)，目前可能仍然存在較少的詳細(xì)信息?？茖W(xué)家們可能在對其進(jìn)行更深入的研究，以了解其性質(zhì)和潛在應(yīng)用。


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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.15.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。

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