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In2GaBi2S6晶體，拓撲材料

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更新時間：2023-12-15 09:58:28瀏覽次數(shù)：157次

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In2GaBi2S6晶體，拓撲材料
In2GaBi2S6是由銦（In）、鎵（Ga）、鉍（Bi）和硫（S）元素組成的化合物。這種化合物可能具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。由于其組合和結(jié)構(gòu)，In2GaBi2S6可能表現(xiàn)出一些電學(xué)、光學(xué)或磁學(xué)性質(zhì)。

In2GaBi2S6晶體，拓撲材料

材料名稱：In2GaBi2S6晶體

性質(zhì)分類：拓撲材料，半導(dǎo)體

禁帶寬度：1.8 eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：易

保存注意事項：晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

 image.png


研磨成粉末測試XRD

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In2GaBi2S6晶體，拓撲材料

In2GaBi2S6是由銦（In）、鎵（Ga）、鉍（Bi）和硫（S）元素組成的化合物。這種化合物可能具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

由于其組合和結(jié)構(gòu)，In2GaBi2S6可能表現(xiàn)出一些電學(xué)、光學(xué)或磁學(xué)性質(zhì)。這些性質(zhì)可能使其在半導(dǎo)體、光電器件或其他電子學(xué)應(yīng)用中具有潛在應(yīng)用價值。

然而，對于In2GaBi2S6的詳細性質(zhì)和潛在應(yīng)用，其晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)，可能還需要更深入的研究和實驗來全面了解。這類新型材料的探索對于未來電子學(xué)和光電子學(xué)的發(fā)展具有一定的意義。


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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.15.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。

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