InBi晶體，拓?fù)浣^緣體

材料名稱：InBi晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體

合成方法：CVT

剝離難易程度：中

存儲(chǔ)：4℃冷藏、密封、避光

用途：僅用于科研，不能用于人體

InBi晶體，拓?fù)浣^緣體

InBi是銦鉍化合物，是由銦（In）和鉍（Bi）元素組成的化合物。它通常是一種半導(dǎo)體材料，具有晶體結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)。

InBi在電子學(xué)和材料科學(xué)領(lǐng)域中受到了關(guān)注，因?yàn)樗哂幸恍┬再|(zhì)，在一些條件下可能表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體的特征。拓?fù)浣^緣體是一種量子材料，其表面或邊界上存在能級結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致其內(nèi)部是絕緣體而表面或邊界卻能夠?qū)щ姟?/p>

InBi由于其電學(xué)和拓?fù)湫再|(zhì)，被認(rèn)為在量子計(jì)算、自旋電子學(xué)以及其他電子學(xué)領(lǐng)域可能有潛在的應(yīng)用?？茖W(xué)家們對其性質(zhì)進(jìn)行研究，以探索其在新型電子學(xué)器件和技術(shù)中的應(yīng)用潛力。

相關(guān)產(chǎn)品：

MoWTe2 二硒化鎢鉬晶體 (Molybdenum tungsten ditelluride)

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.18.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。