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二碲化鉬晶體,MoTe2二碲化鉬(MoTe2)是一種二維過(guò)渡金屬二硫族化合物,由鉬(Mo)和碲(Te)元素組成。它具有層狀結(jié)構(gòu),在每層中,鉬原子與碲原子交替排列...
三硒化錳(磷摻雜)晶體,MnPSe3MnPSe3是一種由錳(Mn)、磷(P)和硒(Se)元素組成的化合物,屬于二維層狀材料。這種化合物具有二維晶體結(jié)構(gòu)。摻雜可用...
MnBi4Te7晶體,磁性拓?fù)浣^緣體MnBi4Te7是一種由錳(Mn)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于多鐵...
MnBi4Se7晶體,磁性拓?fù)浣^緣體MnBi4Se7是一種由錳(Mn)、鉍(Bi)和硒(Se)元素組成的化合物,通常呈現(xiàn)出層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于多鐵...
Mn2Bi2Te5晶體,磁性拓?fù)浣^緣體Mn2Bi2Te5是一種由錳(Mn)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,也屬于層狀熱電材料的一種。類似于Mn2Bi2...
Mn2Bi2Se5晶體,磁性拓?fù)浣^緣體Mn2Bi2Se5是一種多元化合物,由錳(Mn)、鉍(Bi)和硒(Se)元素組成,屬于層狀熱電材料的一種。它擁有拓?fù)浣^緣體...
InSiTe3晶體,半導(dǎo)體InSiTe3代表一種由銦(In)、硅(Si)和碲(Te)元素組成的化合物。這種化合物屬于層狀化合物,具有晶體結(jié)構(gòu)。InSiTe3是一...
InSb晶體,拓?fù)浣^緣體InSb是一種重要的半導(dǎo)體材料,由銦(In)和銻(Sb)元素組成。它擁有銻化銦的晶體結(jié)構(gòu),屬于III-V族化合物半導(dǎo)體。InSb在電子學(xué)...
InBi晶體,拓?fù)浣^緣體InBi是銦鉍化合物,是由銦(In)和鉍(Bi)元素組成的化合物。它通常是一種半導(dǎo)體材料,具有晶體結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)。拓?fù)浣^緣體是一種量子材...
In3SbTe2晶體,相變材料In3SbTe2是由銦(In)、銻(Sb)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于銦銻碲族化合物。這種化合物可能具有層狀的結(jié)構(gòu),并且可能...
In2Te5晶體,拓?fù)洳牧螴n2Te5是由銦(In)和碲(Te)元素組成的化合物,具有層狀結(jié)構(gòu)。這種化合物可能顯示出一些電學(xué)、光學(xué)或磁學(xué)性質(zhì),因其層狀結(jié)構(gòu),可能...
In2P3Se9晶體,拓?fù)洳牧螴n2P3Se9是一種由銦(In)、磷(P)和硒(Se)元素組成的化合物。In2P3Se9可能具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì),可能在半導(dǎo)體領(lǐng)域...
In2GaBi2S6晶體,拓?fù)洳牧螴n2GaBi2S6是由銦(In)、鎵(Ga)、鉍(Bi)和硫(S)元素組成的化合物。這種化合物可能具有晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。由于其...
HgPSe3晶體,拓?fù)浣^緣體HgPSe3代表的是由汞(Mercury,Hg)、磷(Phosphorus,P)和硒(Selenium,Se)元素組成的化合物。這種...
HfS3晶體,拓?fù)浣^緣體HfS3代表的是由鉿(Hafnium,Hf)和硫(Sulfur,S)元素組成的化合物。它可能具有層狀的結(jié)構(gòu),類似于其他硫化物和層狀材料。
GeSb4Te7晶體,拓?fù)浣^緣體GeSb4Te7是一種由鍺(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于銻碲族化合物。這種化合物屬于相變材料,具有重要的...
GeBi4Te7晶體,拓?fù)浣^緣體GeBi4Te7是一種由鍺(Ge)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于鉍碲族化合物。這種化合物在研究中顯示出多鐵性質(zhì),...
GeBi2Te4晶體,拓?fù)浣^緣體,紅外材料GeBi2Te4是一種由鍺(Ge)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于鉍碲族化合物。這種化合物屬于拓?fù)浣^緣體...
GaGeTe晶體,拓?fù)浣^緣體,半導(dǎo)體GaGeTe是由鎵(Ga)、鍺(Ge)和碲(Te)元素組成的化合物。這種化合物可能具有半導(dǎo)體或者拓?fù)浣^緣體的性質(zhì),具體取決于...
CuInS2晶體,拓?fù)洳牧螩uInS2是一種由銅(Cu)、銦(In)和硫(S)元素組成的化合物,屬于硫化物材料。這種化合物具有半導(dǎo)體性質(zhì),通常呈現(xiàn)為多晶體或薄膜...
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